1959年9月15日， “601试验所”（后发展为电子部第4046研究所）成功拉出华夏首颗硅单晶，使华夏成为继米国、苏俄之后，第三个可以自己拉制硅单晶的国家；还是在这一年，华夏首次用四氯化硅氢还原法制成了纯度高达99.9999999%，史称“九个九”的高纯度多晶硅，拉出了第一根钨丝区熔单晶硅。
1962年，米国制成了全球第一支半导体激光器；华夏拉制出砷化镓（GaAs）单晶，为研究制备化合物半导体器件建立了基础，也为华夏研制大功率微波半导体器件打下了第一根桩；还是在这一年，华夏研究制成硅外延工艺，并开始采用照相制版、光刻工艺。
1963年，华夏研制成功第一支半导体激光器，是全球第二个具备这种能力的国家——仅仅比米国晚了一年。
1965年，华夏研制成功第一个硅基集成电路样品GT31，这块芯片上集成了7个晶体管、1个二极管、7个电阻、6个电容，相比米国晚7年。
1966年，109厂与魔都光学仪器厂协作，研制成功第一台65型接触式光刻机，这与米国的GCA公司几乎同时。
也在这一年，IBM公司托马斯·沃森研究中心的研究人员，时年34岁的罗伯特·登纳德博士提出了用金属氧化物半导体（MOS）晶体管，来制作存储器芯片的设想，同年研发成功1T/1C结构（一个晶体管加一个电容）的DRAM，并在1968年获得专利。1968年仙童半导体推出首个256bit DRAM；1969年先进内存系统公司正式推出全球首款1K DRAM。
还是在这一年，华夏科学院半导体研究所制作出第一支硅MOS场效应晶体管；在江南省，南通晶体管厂成立，并在经过50多年的发展后，成长为国际半导体芯片行业封测巨头之一，也就是后来的通富微电，上市后股票代码002156。
1968年，从仙童出走的“三巨头”创立了英特尔公司，如果没有谭振华的乱入，它将成长为全球最大的，同时具备设计和生产半导体芯片能力的科技巨擘；而在华夏的这一年，魔都无线电十四厂研制成功首个PMOS电路（MOS IC），拉开了华夏发展MOS电路的序幕，还是在这一年，华夏永川半导体研究所正式成立，这是华夏唯一的模拟集成电路研究所，后来，这家研究所发展成为电子部4024研究所。
1969年，华夏国营永红器材厂（749厂）成立，1995年整体调迁至天水，多年后，它将成长为另一家国际封测巨头，也就是华天科技，上市后股票代码002185。
1970年，英特尔公司推出首款可大规模生产的1K DRAM芯片C1103，使得1bit只要1美分，从此开创了DRAM时代。也是在这一年，华夏集成电路产业年产量首次超过100万块，这比米国进入这一个数字仅仅晚了6年。
1972年，江阴晶体管厂成立，这家企业今后也将成长为芯片封测行业的国际巨头，也就是长电科技，上市后股票代码600584。
如果按照谭振华重生那年的市占率来算，长电科技、华天科技、通富微电三家相加，已经占据了全球芯片封测市场接近20%的份额，其中市占率最高的长电科技排名全球第三，市占率11.8%，可见华夏在芯片领域，至少在这一块业务上并不落后。
1974年，华夏为发展大规模集成电路（LSI），在京城召开了第一次全国性会议，研讨发展思路；也是在这一年，南高丽三星电子正式进军半导体行业。
由此可见，至少到这个时间点之前，华夏的半导体水平，比之南高丽要遥遥领先。
1975年，华夏完成了硅栅NMOS、硅栅PMOS、铝栅NMOS三种技术方案，109厂随即采用硅栅NMOS技术，试制成功第一块1K DRAM，相比米国英特尔研制的C1103要晚五年。
同年，华夏湾岛 “工研院”向米国购买了第一条3英寸晶圆生产线并于1977年建成投产。
1976年11月，华夏科学院计算技术研究所研制成功1000万次大型电子计算机，所使用的电路为109厂研制的ECL型（Emitter Coupled Logic，发射极耦合逻辑）电路。
同年，倭国由通产省牵头，联合五大骨干公司组建“VLSI联合研发体”，投资720 亿日元攻坚超大规模集成电路DRAM的技术难关。
由此可见，至少到这一年为止，华夏的技术水平与倭国也不相上下，更领先于湾岛。
在这一年，华夏国产的集成电路芯片年度出货量超过了1千万片，比米国达到这一数字晚了十年。
1978年，华夏科学院半导体研究所成功研制4K DRAM，1979年9月28日在109厂成功流片量产，平均良品率为28%，同年南高丽电子技术研究所KIET从米国购买了一条3英寸晶圆生产线，次年投产。
本小章还未完~.~，请点击下一页继续阅读后面精彩内容！
喜欢重生之军工霸主请大家收藏：(www.9bxs.com)重生之军工霸主九饼中文更新速度全网最快。